Представлена «энергосберегающая» память на основе фазового перехода.

14/03/2011

В лаборатории Иллинойсского университета в Урбане и Шампейне был создан перспективный вариант памяти на основе фазового перехода (phase-change memory, PCRAM).

Энергонезависимая PCRAM имеет оригинальный способ представления информации, которая кодируется уровнем сопротивления. Элементы такой памяти строятся на базе халькогенидного стекла (чаще всего — Ge2Sb2Te5), способного при нагреве электрическим током «переключаться» между двумя состояниями — кристаллическим и аморфным. Первое обладает низким сопротивлением, второе — высоким.

Одним из основных недостатков PCRAM считается то, что управление состоянием бита требует весьма высоких токов. Чтобы обойти это ограничение, инженеры заменили в элементах памяти традиционные металлические провода на электроды из углеродных нанотрубок. «Потребление энергии падает вместе с уменьшением объёма элемента, — комментирует участник исследования Фэн Сюн (Feng Xiong). — Наноразмерные контакты подходят здесь как нельзя лучше».

Источник: Хорошие Новости
powered by CACKLE
© 2008-2012, Association «FEEI».